碳化硅功率器件相關(guān)標準立項通過(guò)[ 03-18 15:54 ]

據中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學(xué)聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學(xué)研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)運行條件下閾值穩定性測試方法》團體標準提案，經(jīng)CASA標準化委員會(huì )（CASAS）管理委員會(huì )審核，根據《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過(guò)，分配編號為：CASA024。

碳化硅聚焦環(huán)陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]

隨著(zhù)半導體技術(shù)的發(fā)展，等離子體刻蝕逐漸成為半導體制造工藝廣泛應用的技術(shù)。等離子體刻蝕產(chǎn)生的等離子體具有很強的腐蝕性，在刻蝕晶圓的過(guò)程中也會(huì )對工藝腔腔體和腔體內部件造成嚴重腐蝕，所以半導體加工設備中與等離子體接觸的部件需要有較好的耐等離子體刻蝕性能。 相對于有機和金屬材料，陶瓷材料一般都具有較好的耐物理和化學(xué)腐蝕性能以及很高的工作溫度，因而在半導體工業(yè)中，多種陶瓷材料已成為半導體單晶硅片制造工序和前道加工工序的設備核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等離子環(huán)境中陶瓷材料的選擇取決于核心

山西爍科晶體成功實(shí)現8英寸碳化硅晶體小批量量產(chǎn)[ 03-05 13:34 ]

近日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)爍科公司）成功研制出8英寸碳化硅晶體，實(shí)現了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)。 由于碳化硅對溫度及壓力控制有著(zhù)極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點(diǎn)，都使得大尺寸碳化硅單晶的制備及切割成為非常棘手的問(wèn)題。 爍科公司專(zhuān)業(yè)深耕碳化硅材料領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)刻苦攻關(guān)，于去年8月研制出8英寸碳化硅晶體，成功解決大尺寸單晶制備的重要難題。近日又再次取得重大突破，實(shí)現8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一

晶盛機電年產(chǎn)40萬(wàn)片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開(kāi)工[ 03-04 09:30 ]

近日，由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶(hù)寧夏銀川。其中，一期預計3月開(kāi)工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片。 晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開(kāi)展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍寶石生長(cháng)能力。據2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產(chǎn)制造項目的公告披露，晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長(cháng)-切磨拋加工的中試產(chǎn)線(xiàn)，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶(hù)驗

中國電子科技集團公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片[ 03-03 08:23 ]

近日，據中國日報報道，中國電子科技集團公司第二研究所（電科二所）成功研制出首片碳化硅芯片，下一步，電科二所將全力以赴推進(jìn)實(shí)驗室二期碳化硅芯片中試線(xiàn)和碳化硅器件智能封裝線(xiàn)的建設。 2021年9月，中國電科二所承擔山西太原某實(shí)驗室6英寸SiC芯片整線(xiàn)系統集成項目，該項目要求4個(gè)月內完成整線(xiàn)設備評估、選型、采購、安裝、調試，并研制出第一片芯片。電科二所調動(dòng)資源力量，在SiC激光剝離設備研制上取得突破性進(jìn)展，先后完成單機設備調試、碳化硅SBD整線(xiàn)工藝調試。 碳化硅硬度極高，傳統襯底加工工藝切割速度慢，晶體與切割